全球高端設備全能服務商

入選國家工信部“首批重點培育中試平臺”名單不到1個月，上海交大無錫光子芯片研究院(CHIPX)再次迎來重磅時刻：6月5日，首片6寸薄膜鈮酸鋰光子芯片晶圓在國內(nèi)首個光子芯片中試線下線，同時實現(xiàn)了超低損耗、超高帶寬的高性能薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片的規(guī)?；慨a(chǎn)，關鍵技術指標達到國際先進水平。這一突破性成果標志著我國在高端光電子核心器件領域完成從“技術跟跑”到“產(chǎn)業(yè)領跑”的歷史性跨越。研究院將依托中試平臺，攜手產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴推進規(guī)模化量產(chǎn)進程，構(gòu)建“技術研發(fā)-工藝驗證-規(guī)模量產(chǎn)”全鏈條能力，進一步增強自主可控的量子科技國際競爭力。

自主可控中試平臺，實現(xiàn)晶圓級光子芯片集成工藝突破

光量子芯片是光量子計算的核心硬件載體，其產(chǎn)業(yè)化進程將推動我國在量子信息領域?qū)崿F(xiàn)自主可控，更是搶占全球量子科技競爭制高點的戰(zhàn)略支撐。此前，因共性關鍵工藝技術平臺的缺失，我國光量子技術面臨“實驗室成果難以量產(chǎn)”的困境，是制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“卡脖子”難題，而光子芯片中試線的啟用成為破局關鍵。

上海交大無錫光子芯片研究院于2022年12月啟動國內(nèi)首條光子芯片中試線建設，2024年9月，集光子芯片研發(fā)、設計、加工和應用于一體的光子芯片中試線正式啟用。如今，首片晶圓成功下線，中試平臺實現(xiàn)量產(chǎn)通線，彰顯了項目建設的高效與成果。

作為一種高性能光電材料，薄膜鈮酸鋰具備超快電光效應、高帶寬、低功耗等優(yōu)勢，在5G通信、量子計算等領域展現(xiàn)出巨大潛力。然而，由于薄膜鈮酸鋰材料脆性大，大尺寸薄膜鈮酸鋰晶圓的制備一直被行業(yè)視為挑戰(zhàn)，尤其在量產(chǎn)化工藝中面臨納米級加工精度控制、薄膜沉積均勻性保證、刻蝕速率一致性調(diào)控等三大難題。

CHIPX工藝團隊基于自主建設的國內(nèi)首條光子芯片中試線，引進了110余臺國際頂級CMOS工藝設備，覆蓋了薄膜鈮酸鋰晶圓從光刻、薄膜沉積、刻蝕、濕法、切割、量測到封裝的全閉環(huán)工藝。通過創(chuàng)新性開發(fā)芯片設計、工藝方案與設備系統(tǒng)的協(xié)同適配技術，成功打通了從光刻圖形化、精密刻蝕、薄膜沉積到封裝測試的全制程工藝，實現(xiàn)晶圓級光子芯片集成工藝突破。

性能指標國內(nèi)領先，高性能薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)

憑借中試平臺先進的納米級加工設備和快速工藝迭代能力，工藝團隊通過大量工藝驗證與優(yōu)化，以深紫外（DUV）光刻與薄膜刻蝕的組合工藝，系統(tǒng)性地解決了晶圓級光子芯片集成的關鍵技術瓶頸：在6寸鈮酸鋰晶圓上實現(xiàn)了110nm 高精度波導刻蝕；通過步進式（i-line）光刻完成了高均一性、納米級波導與復雜高性能電極結(jié)構(gòu)的跨尺度集成，達到頂尖制程水平。

同時，工藝團隊通過材料 - 器件協(xié)同設計創(chuàng)新，在兼顧高集成度的同時，實現(xiàn)了性能的跨越式突破，關鍵指標全面領先：

u 調(diào)制帶寬突破110GHz，突破國際高速光互連帶寬瓶頸

u 插入損耗＜3.5dB，波導損耗＜0.2dB/cm，顯著提升光傳輸效率

u 調(diào)制效率達到1.9 V·cm，電光轉(zhuǎn)換效率實現(xiàn)大幅優(yōu)化

依托中試線平臺及年產(chǎn) 12000 片晶圓的量產(chǎn)能力，研究院將為產(chǎn)業(yè)合作伙伴提供「低成本」、「快速迭代」、「規(guī)?；慨a(chǎn)」的解決方案。

工藝納入 PDK 體系，中試平臺賦能產(chǎn)業(yè)生態(tài)

中試平臺，一頭連著創(chuàng)新，一頭連著產(chǎn)業(yè)。在不斷提升自身科技創(chuàng)新能力的同時，研究院還打造了開放共享的服務生態(tài)，賦能產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

近期，研究院將發(fā)布PDK工藝設計包，本次高性能薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片的核心工藝參數(shù)與器件模型已全面納入、開放共享。該版本 PDK 不僅集成無源耦合器、分束器、波導陣列和有源熱相移器、電光調(diào)制器等基礎元件模型，同時涵蓋多物理場協(xié)同仿真模塊，構(gòu)建起標準化光子芯片設計體系。

同時，研究院面向高校、科研院所及企業(yè)提供從概念設計到流片驗證再到量產(chǎn)的服務體系，顯著縮短研發(fā)周期，讓創(chuàng)新成果加速“落地生金”：

全流程技術服務：開放 DUV 光刻、電子束刻蝕等 110 臺套核心設備，提供覆蓋芯片設計、流片代工到測試驗證的閉環(huán)服務。

產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新：聯(lián)合高校院所攻關核心技術，目前已牽頭承擔科技部、工信部、發(fā)改委等多項重點研發(fā)項目。

硬科技孵化賦能：聯(lián)動國內(nèi)首支光子芯片產(chǎn)業(yè)基金，為初創(chuàng)硬科技企業(yè)提供資金支持及運營賦能。

研究院構(gòu)建「平臺 + 孵化 + 基金」三位一體的光子芯片工研院模式，打造從平臺支撐、工藝研發(fā)到場景應用的全鏈條生態(tài)閉環(huán)，有力推動我國光子芯片產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)從實現(xiàn)從 「技術創(chuàng)新」 到 「生態(tài)賦能」 的戰(zhàn)略躍升。

重構(gòu)智算新范式，賦能國家戰(zhàn)略需求

除賦能產(chǎn)業(yè)發(fā)展外，上海交大無錫光子芯片研究院此次雙重成果突破更具里程碑意義，正加速推動芯片化光子集成趨勢下的產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)進程。

一、破局 AI 算力瓶頸，驅(qū)動 "光速計算" 革命

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在人工智能算力需求呈指數(shù)級增長的當下，傳統(tǒng)電子器件面臨功耗高、帶寬受限兩大核心瓶頸。高性能薄膜鈮酸鋰調(diào)制器憑借超低損耗、超高帶寬、超快傳輸速率優(yōu)勢，能支撐云計算、超算中心和5G/6G基礎設施的場景需求；基于該技術的光計算芯片，以 "光傳輸 + 光計算" 的融合方案，實現(xiàn)高并行、低延遲、低功耗的AI推理與訓練計算架構(gòu)，從底層破解 AI 大模型訓練的算力困局，正成為 AI 算力新基建的核心支撐。

二、實現(xiàn)量子計算，構(gòu)建國家科技戰(zhàn)略高地

隨著技術鏈逐步完善，薄膜鈮酸鋰光子芯片被用于集成單光子源、波導干涉器和光子探測器，以多模式耦合的獨特優(yōu)勢實現(xiàn)更高精度、更快速度的量子態(tài)調(diào)控，為未來實用化量子計算提供了堅實基礎。同時，基于該芯片構(gòu)建的混合量子計算架構(gòu)，更將為光量子計算的跨平臺應用與多場景拓展提供核心技術支撐，加速推動光量子計算向?qū)嵱没?、?guī)?；A段邁進。

未來，依托中試線的可拓展優(yōu)勢，CHIPX將通過增補設備、拓展多材料體系、突破多材料異質(zhì)集成技術，建設具備穩(wěn)定量產(chǎn)能力的晶圓級光子芯片產(chǎn)線，打造全球最大規(guī)模的光子芯片產(chǎn)業(yè)基地。同時，研究院圍繞芯、光、智、算等進行科技成果轉(zhuǎn)化及孵投一體的創(chuàng)業(yè)孵化，為光子計算、量子信息、6G通信、激光雷達等產(chǎn)業(yè)提供核心保障，助力我國在新一輪科技革命中搶占戰(zhàn)略制高點。

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